Substrat GaA
Keterangan
Gallium Arsenide (GaAs) adalah semikonduktor senyawa golongan III-Ⅴ yang penting dan matang, banyak digunakan di bidang optoelektronik dan mikroelektronika.GaAs terutama dibagi menjadi dua kategori: GaAs semi-isolasi dan GaAs tipe-N.GaA semi-isolasi terutama digunakan untuk membuat sirkuit terintegrasi dengan struktur MESFET, HEMT dan HBT, yang digunakan dalam komunikasi radar, gelombang mikro dan gelombang milimeter, komputer berkecepatan sangat tinggi, dan komunikasi serat optik.GaAs tipe-N terutama digunakan dalam LD, LED, laser inframerah dekat, laser kuantum berdaya tinggi, dan sel surya efisiensi tinggi.
Properti
| Kristal | Didoping | Tipe Konduksi | Konsentrasi Arus cm-3 | Kepadatan cm-2 | Metode Pertumbuhan |
| GaA | Tidak ada | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
Definisi Substrat GaAs
Substrat GaAs mengacu pada substrat yang terbuat dari bahan kristal gallium arsenide (GaAs).GaAs adalah senyawa semikonduktor yang tersusun dari unsur galium (Ga) dan arsen (As).
Substrat GaAs sering digunakan dalam bidang elektronik dan optoelektronik karena sifatnya yang sangat baik.Beberapa properti utama substrat GaAs meliputi:
1. Mobilitas elektron tinggi: GaAs memiliki mobilitas elektron lebih tinggi dibandingkan bahan semikonduktor umum lainnya seperti silikon (Si).Karakteristik ini membuat substrat GaAs cocok untuk peralatan elektronik berfrekuensi tinggi dan berdaya tinggi.
2. Celah pita langsung: GaAs memiliki celah pita langsung, artinya emisi cahaya yang efisien dapat terjadi ketika elektron dan lubang bergabung kembali.Karakteristik ini menjadikan substrat GaAs ideal untuk aplikasi optoelektronik seperti dioda pemancar cahaya (LED) dan laser.
3. Celah pita yang lebar: GaAs memiliki celah pita yang lebih lebar dibandingkan silikon, sehingga memungkinkannya beroperasi pada suhu yang lebih tinggi.Properti ini memungkinkan perangkat berbasis GaAs beroperasi lebih efisien di lingkungan bersuhu tinggi.
4. Kebisingan rendah: Substrat GaAs menunjukkan tingkat kebisingan yang rendah, sehingga cocok untuk amplifier kebisingan rendah dan aplikasi elektronik sensitif lainnya.
Substrat GaAs banyak digunakan dalam perangkat elektronik dan optoelektronik, termasuk transistor berkecepatan tinggi, sirkuit terpadu gelombang mikro (IC), sel fotovoltaik, detektor foton, dan sel surya.
Substrat ini dapat dibuat dengan menggunakan berbagai teknik seperti Deposisi Uap Kimia Organik Logam (MOCVD), Epitaxy Berkas Molekuler (MBE) atau Epitaxy Fase Cair (LPE).Metode pertumbuhan spesifik yang digunakan bergantung pada aplikasi yang diinginkan dan persyaratan kualitas substrat GaAs.
