Substrat PMN-PT
Keterangan
Kristal PMN-PT dikenal dengan koefisien kopling elektromekanisnya yang sangat tinggi, koefisien piezoelektrik yang tinggi, regangan yang tinggi, dan kehilangan dielektrik yang rendah.
Properti
| Komposisi kimia | ( PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Struktur | R3m, Belah Ketupat |
| Kisi | a0 ~ 4,024Å |
| Titik lebur（℃） | 1280 |
| Kepadatan (g/cm3) | 8.1 |
| Koefisien piezoelektrik d33 | >2000 pC/N |
| Kerugian Dielektrik | tan<0,9 |
| Komposisi | dekat batas fase morfotropik |
Pengertian Substrat PMN-PT
Substrat PMN-PT mengacu pada film tipis atau wafer yang terbuat dari bahan piezoelektrik PMN-PT.Berfungsi sebagai landasan pendukung atau landasan berbagai perangkat elektronik atau optoelektronik.
Dalam konteks PMN-PT, substrat biasanya berupa permukaan datar dan kaku di mana lapisan atau struktur tipis dapat ditumbuhkan atau diendapkan.Substrat PMN-PT biasanya digunakan untuk membuat perangkat seperti sensor piezoelektrik, aktuator, transduser, dan pemanen energi.
Substrat ini menyediakan platform yang stabil untuk pertumbuhan atau pengendapan lapisan atau struktur tambahan, memungkinkan sifat piezoelektrik PMN-PT untuk diintegrasikan ke dalam perangkat.Substrat PMN-PT berbentuk film tipis atau wafer dapat menciptakan perangkat kompak dan efisien yang memanfaatkan sifat piezoelektrik material yang sangat baik.
Produk-produk terkait
Pencocokan kisi tinggi mengacu pada penyelarasan atau pencocokan struktur kisi antara dua bahan berbeda.Dalam konteks semikonduktor MCT (mercury cadmium telluride), pencocokan kisi yang tinggi diinginkan karena memungkinkan pertumbuhan lapisan epitaksi berkualitas tinggi dan bebas cacat.
MCT adalah bahan semikonduktor senyawa yang biasa digunakan dalam detektor inframerah dan perangkat pencitraan.Untuk memaksimalkan kinerja perangkat, sangat penting untuk menumbuhkan lapisan epitaksi MCT yang sangat cocok dengan struktur kisi bahan substrat di bawahnya (biasanya CdZnTe atau GaAs).
Dengan mencapai pencocokan kisi yang tinggi, kesejajaran kristal antar lapisan ditingkatkan, dan cacat serta regangan pada antarmuka berkurang.Hal ini menghasilkan kualitas kristal yang lebih baik, peningkatan sifat listrik dan optik, serta peningkatan kinerja perangkat.
Pencocokan kisi yang tinggi penting untuk aplikasi seperti pencitraan dan penginderaan inframerah, di mana cacat atau ketidaksempurnaan kecil sekalipun dapat menurunkan kinerja perangkat, yang memengaruhi faktor-faktor seperti sensitivitas, resolusi spasial, dan rasio signal-to-noise.
