Substrat SiC
Keterangan
Silikon karbida (SiC) adalah senyawa biner Golongan IV-IV, satu-satunya senyawa padat stabil di Golongan IV Tabel Periodik, dan merupakan semikonduktor penting.SiC memiliki sifat termal, mekanik, kimia, dan listrik yang sangat baik, menjadikannya salah satu bahan terbaik untuk membuat perangkat elektronik bersuhu tinggi, frekuensi tinggi, dan berdaya tinggi, SiC juga dapat digunakan sebagai bahan substrat. untuk dioda pemancar cahaya biru berbasis GaN.Saat ini, 4H-SiC adalah produk utama di pasar, dan tipe konduktivitas dibagi menjadi tipe semi-isolasi dan tipe N.
Properti
| Barang | Tipe N 2 inci 4H | ||
| Diameter | 2 inci (50.8mm) | ||
| Ketebalan | 350+/-25um | ||
| Orientasi | keluar sumbu 4.0˚ menuju <1120> ± 0.5˚ | ||
| Orientasi Datar Primer | <1-100> ± 5° | ||
| Flat Sekunder Orientasi | 90,0˚ CW dari Rusun Primer ± 5,0˚, Si Menghadap ke atas | ||
| Panjang Datar Primer | 16 ± 2,0 | ||
| Panjang Datar Sekunder | 8 ± 2,0 | ||
| Nilai | Kelas produksi (P) | Nilai penelitian (kanan) | Nilai tiruan (D) |
| Resistivitas | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Kepadatan Mikropipa | ≤ 1 mikropipa/ cm² | ≤ 1 0mikropipa/ cm² | ≤ 30 mikropipa/ cm² |
| Kekasaran Permukaan | Si wajah CMP Ra <0,5nm, C Wajah Ra <1 nm | T/A, area yang dapat digunakan > 75% | |
| TV | <8 um | <10um | <15 mm |
| Busur | < ±8 um | < ±10um | < ±15um |
| Melengkung | <15 mm | < 20 mm | < 25 mm |
| Retak | Tidak ada | Panjang kumulatif ≤ 3 mm | Panjang kumulatif ≤10mm, |
| Goresan | ≤ 3 goresan, kumulatif | ≤ 5 goresan, kumulatif | ≤ 10 goresan, kumulatif |
| Pelat Hex | maksimal 6 piring, | maksimal 12 piring, | T/A, area yang dapat digunakan > 75% |
| Area Politipe | Tidak ada | Luas kumulatif ≤ 5% | Luas kumulatif ≤ 10% |
| Kontaminasi | Tidak ada | ||
